北京大学技术入股项目公示
（2020002号）
根据《北京大学技术入股管理办法》（校发【2019】66号）的相关规定，依课题组申请，物理学院、科技开发部、校办产业管理委员会办公室初审，学校科技成果转化工作领导小组审核，学校党委常委会批准，现将沈波团队十项专利技术及专利申请权技术入股项目公示如下：
专利技术及专利申请权技术名称
1.一种高晶体质量AlN外延层的生长方法发明专利技术；
2.一种硅上高迁移率GaN基异质结构及其制备方法发明专利技术；
3.用于检测氮化镓基异质结构中陷阱态的检测方法和结构发明专利技术；
4.一种基于MOCVD侧向外延制备低位错密度AlGaN薄膜的方法及AlGaN薄膜发明专利技术；
5.一种高质量AlN外延薄膜及其制备方法和应用申请中发明专利技术；
6.一种p型AlGaN外延薄膜及其制备方法和应用申请中发明专利技术；
7.一种降低n型AlGaN系材料的接触电阻的方法及其应用申请中发明专利技术；
8.一种异质衬底上GaN连续厚膜的外延生长方法申请中发明专利技术；
9.基于纳米图形硅衬底制备高质量厚膜AlN的方法申请中发明专利技术；
10.一种抑制硅基氮化镓射频器件的射频损耗的方法申请中发明专利技术。
成果完成人：沈波团队
以上十项专利技术及专利申请权技术作价4363.48万元人民币，占新成立公司40%股权；合作方广东光大企业集团有限公司以现金投资5999.785万元，占新公司55%股权；北京燕园中镓半导体工程研发中心有限公司以固定资产作价545.435万元，占新公司5%股权。
公示期为2020年6月3日至2020年6月17日，共15日。如对所公示事项有异议，请于公示期内以书面形式，实名反馈至科技开发部qingyu@pku.edu.cn邮箱，逾期不予受理。
北京大学科技开发部
北京大学校办产业管理委员会办公室
2020年6月3日
